參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7521D1
廠商： International Rectifier
英文描述： FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm, Schottky Vf=0.39V)
中文描述： FETKY⑩MOSFET的/肖特基二極管（減振鋼板基本\u003d 20V的，的Rds（on）\u003d 0.135ohm，肖特基室顫\u003d 0.39V）
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
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代理商： IRF7521D1
IRF7521D1
4
www.irf.com
Power Mosfet Characteristics
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
0
100
200
300
400
500
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
2
4
6
8
10
0
2
Q , Total Gate Charge (nC)
4
6
8
10
G
A
-
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 9
I = 1.7A
V = 16V
0.1
1
10
100
0.4
0.6
V , Source-to-Drain Voltage (V)
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
I
S
A
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
T = 25°C
T = 150°C
Single Pulse
100μs
1ms
10ms
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
IRF7521D1PBF 功能描述:MOSFET 20V FETKY 12 VGS 200 RDS 2.7VmOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7521D1TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7521D1TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT w/Schttky 2.4A 35mOhm 5.3nC Micro 8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7523D1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7523D1PBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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