參數(shù)資料
型號： IRF7521D1
廠商： International Rectifier
英文描述： FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm, Schottky Vf=0.39V)
中文描述： FETKY⑩MOSFET的/肖特基二極管（減振鋼板基本\u003d 20V的，的Rds（on）\u003d 0.135ohm，肖特基室顫\u003d 0.39V）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 177K
代理商： IRF7521D1
IRF7521D1
www.irf.com
2
Parameter
Min. Typ. Max. Units
20
–––
––– 0.085 0.135
–––
0.12
0.70
–––
2.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
5.3
–––
0.84
–––
2.2
–––
5.7
–––
24
–––
15
–––
16
–––
260
–––
130
–––
61
Conditions
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V, I
D
= 1.7A
V
GS
= 2.7V, I
D
= 0.85A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 10V, I
D
= 0.85A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
I
D
= 1.7A
V
DS
= 16V
V
GS
= 4.5V, See Fig. 6
V
DD
= 10V
I
D
= 1.7A
R
G
= 6.0
R
D
= 5.7
,
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz, See Fig. 5
0.20
–––
–––
1.0
25
100
-100
8.0
1.3
3.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
MOSFET Source-Drain Ratings and Characteristics
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
pF
MOSFET Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
I
GSS
μA
nA
ns
Parameter
Min. Typ. Max. Units
–––
–––
–––
–––
–––
–––
39
–––
37
Conditions
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
Schottky Diode Maximum Ratings
Continuous Source Current(Body Diode) –––
Pulsed Source Current (Body Diode)
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time (Body Diode)
Reverse RecoveryCharge
1.3
14
1.2
59
56
V
ns
nC
T
J
= 25°C, I
S
= 1.7A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 1.7A
di/dt = 100A/μs
A
Parameter
Max. Units.
1.9
1.4
120
11
Conditions
I
F(av)
Max. Average Forward Current
50% Duty Cycle. Rectangular Wave, T
A
= 25°C
Fig.14
5μs sine or 3μs Rect. pulse
10ms sine or 6ms Rect. pulse load condition &
T
A
= 70°C
Following any rated
I
SM
Max. peak one cycle Non-repetitive
Surge current
with V
RRM
applied
A
A
Parameter
Max. Units
0.50
0.62
0.39
0.57
0.02
8
92
3600 V/ μs Rated V
R
Conditions
V
FM
Max. Forward voltage drop
I
F
= 1.0A, T
J
= 25°C
I
F
= 2.0A, T
J
= 25°C
I
F
= 1.0A, T
J
= 125°C
I
F
= 2.0A, T
J
= 125°C .
V
R
= 20V
mA
I
RM
Max. Reverse Leakage current
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
C
t
dv/dt
Max. Junction Capacitance
Max. Voltage Rate of Charge
pF
V
R
= 5Vdc ( 100kHz to 1 MHz) 25°C
Schottky Diode Electrical Specifications
V
(
HEXFET is the reg. TM for International Rectifier Power MOSFET's )
See
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF7521D1TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7521D1TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT w/Schttky 2.4A 35mOhm 5.3nC Micro 8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7523D1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7523D1PBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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