參數(shù)資料
型號： IRF7420
英文描述： -12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
中文描述： - 12V的單P溝道HEXFET功率MOSFET的SO - 8封裝
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 149K
代理商： IRF7420
IRF7343
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-3.5V
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-3.0V
Fig 14.
Typical Transfer Characteristics
Fig 13.
Typical Output Characteristics
Fig 12.
Typical Output Characteristics
Fig 15.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
P-Channel
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-15V
-3.5V
-3.0V
-VDS
-
D
-3.0V
1
10
100
3
4
5
6
7
VDS
20μs PULSE WIDTH
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
-
D
T = 25 C
T = 150 C
0.1
1
10
100
0.2
0.4
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
-4.5V
-12V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7421D1 30V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package
IRF7422D2 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 4.6A I(D) | SO
IRF742FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220AB
IRF7343 Dual N and P Channel MOSFET(雙 N溝道 和P溝道 MOS場效應(yīng)管)
IRF750A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7420HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 11.5A 8-Pin SOIC
IRF7420PBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 14mOhms 38nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7420TR 功能描述:MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7420TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -11.5A 14mOhm 38nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7421D1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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