參數(shù)資料
型號: IRF7106
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=+-20V)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d - 20V的)
文件頁數(shù): 6/7頁
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代理商: IRF7106
74
IRF7106
0.1
1
10
0.0
1.0
2.0
3.0
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
S
A
-
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 18.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
T = 25°C
T = 150°C
Single Pulse
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
1ms
10ms
100ms
Fig 19.
Maximum Safe Operating Area
Fig 21a.
Switching Time Test Circuit
Fig 21b.
Switching Time Waveforms
Fig 22b.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 22a.
Gate Charge Test Circuit
P-Channel
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
25
50
T , Ambient Temperature (°C)
Fig 20.
Maximum Drain Current Vs.
Ambient Temperature
75
100
125
150
A
-
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF710SPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7207PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7210PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7240PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7303PBF HEXFET Power MOSFET (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.050ヘ )
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參數(shù)描述
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IRF710B 功能描述:MOSFET 400V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF710L 功能描述:MOSFET N-CH 400V 2A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件