參數(shù)資料
型號： IRF7106
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=+-20V)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d - 20V的）
文件頁數(shù)： 3/7頁
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代理商： IRF7106
71
IRF7106
Fig 1.
Typical Output Characteristics,
T
J
= 25
o
C
Fig 2.
Typical Output Characteristics,
T
J
= 150
o
C
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
I
D
DS
VGS
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
A
4.5V
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
I
D
DS
VGS
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
4.5V
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
12
14
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
A
I = 2.3A
V = 10V
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 11
0
200
400
600
800
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
10
100
4
5
6
7
8
9
10
T = 25°C
T = 150°C
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I
A
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120 140 160
R
D
(
V = 10V
A
I = 3.0A
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
N-Channel
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IRF710B 功能描述:MOSFET 400V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF710L 功能描述:MOSFET N-CH 400V 2A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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