參數(shù)資料
型號： IRF7103QTR
廠商： International Rectifier
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 3A I(D) | SO
中文描述： 晶體管| MOSFET的|配對| N溝道| 50V五（巴西）直| 3A條（?。﹟蘇
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 169K
代理商： IRF7103QTR
IRF7103Q
www.irf.com
7
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
V
GS
Fig 17.
Gate Charge Test Circuit
Fig 18.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 16a.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 16d.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 16c.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
12
24
36
48
60
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
1.2A
2.5A
3.0A
TOP
BOTTOM
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF7103TR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 50V 3A 8-Pin SOIC T/R 制造商:Int'L Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
IRF7103TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7103TRPBF-CUT TAPE 制造商:IR 功能描述:Dual N-Channel 50 V 2 W 12 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
IRF7104 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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