參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7103QTR
廠商： International Rectifier
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 3A I(D) | SO
中文描述： 晶體管| MOSFET的|配對(duì)| N溝道| 50V五（巴西）直| 3A條（?。﹟蘇
文件頁數(shù)： 6/10頁
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代理商： IRF7103QTR
IRF7103Q
6
www.irf.com
Fig 13.
Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Fig 12.
Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
Fig 14.
Typical Threshold Voltage Vs.
Junction Temperature
Fig 15.
Typical Power Vs. Time
4.5
6.0
7.5
9.0
10.5
12.0
13.5
15.0
-VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.09
0.10
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
RD
)
ID = 3.0A
0
5
10
15
20
25
30
35
40
ID , Drain Current (A)
0.000
0.500
1.000
1.500
2.000
2.500
RD
)
VGS = 10V
VGS = 4.5V
1.00
10.00
100.00
1000.00
Time (sec)
0
10
20
30
40
50
60
70
P
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature (
°
C )
1.0
1.3
1.5
1.8
2.0
VG
ID = 250μA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7103 Power MOSFET(Vdss=50V, Rds(on)=0.130ohm, Id=3.0A)
IRF7104 HEXFET Power MOSFET
IRF7106 Power MOSFET(Vdss=+-20V)
IRF710SPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7207PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
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參數(shù)描述
IRF7103QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7103TR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 50V 3A 8-Pin SOIC T/R 制造商:Int'L Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
IRF7103TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7103TRPBF-CUT TAPE 制造商:IR 功能描述:Dual N-Channel 50 V 2 W 12 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
IRF7104 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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