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參數(shù)資料
| 型號： | IRF6655 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) |
| 中文描述： | DirectFET功率MOSFET的典型值（除非另有說明） |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 262K |
| 代理商： | IRF6655 |
8
www.irf.com
DirectFET
Substrate and PCB Layout, SH Outline
(Small Size Can, H-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding PCB assembly using DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF6668PBF | DirectFET Power MOSFET |
| IRF6668TRBF | DirectFET Power MOSFET |
| IRF6714MPBF | DirectFET㈢Power MOSFET |
| IRF6714MTRPBF | DirectFET㈢Power MOSFET |
| IRF6715MPBF | DirectFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF6655PBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET |
| IRF6655TR1 | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF6655TR1PBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF6655TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 制造商:International Rectifier 功能描述:N MOSFET, 100V, 3.4A, DIRECTFET SH |
| IRF6655TRPBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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