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參數(shù)資料
| 型號： | IRF6648 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | DirectFET Power MOSFET |
| 中文描述： | DirectFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 266K |
| 代理商： | IRF6648 |
www.irf.com
7
(Medium Size Can, N-Designation). Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
Fig 17. for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
!"#
$ %&'&&
&'&&)$'
"((
+
-
+
+
+
-
-
-
G = GATE
D = DRAIN
S = SOURCE
G
S
D
D
D
D
S
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF6655 | DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) |
| IRF6668PBF | DirectFET Power MOSFET |
| IRF6668TRBF | DirectFET Power MOSFET |
| IRF6714MPBF | DirectFET㈢Power MOSFET |
| IRF6714MTRPBF | DirectFET㈢Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF6648PBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:DirectFETPower MOSFET |
| IRF6648TR1 | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF6648TR1PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 86A 7.0mOhm 36nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF6648TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF6648TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N DIRECTFET 60V MN |
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