參數(shù)資料
型號： IRF6648
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET
中文描述： DirectFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/9頁
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代理商： IRF6648
www.irf.com
5
Fig 11.
Typical Threshold Voltage vs.
Junction Temperature
Fig 10.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 13.
Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
Fig12.
Maximum Safe Operating Area
Fig 8.
Typical On-Resistance vs. Gate Voltage
Fig 9.
Typical On-Resistance vs. Drain Current
4
6
8
10
12
14
16
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0
10
20
30
40
50
60
RD
)
ID = 17A
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0
1
10
100
1000
IS
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
VGS = 0V
-75 -50 -25
0
25
50
75
100 125 150
TJ , Temperature ( °C )
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
TG
ID = 150μA
ID = 250μA
ID = 1.0mA
ID = 1.0A
25
50
75
100
125
150
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
EA
ID
TOP
12A
18A
BOTTOM 34A
0
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
0
20
40
60
80
100
ID, Drain Current (A)
0
5
10
15
20
25
30
TD
)
TJ = 25°C
Vgs = 7.0V
Vgs = 8.0V
Vgs = 10V
Vgs = 15V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6655 DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)
IRF6668PBF DirectFET Power MOSFET
IRF6668TRBF DirectFET Power MOSFET
IRF6714MPBF DirectFET㈢Power MOSFET
IRF6714MTRPBF DirectFET㈢Power MOSFET
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參數(shù)描述
IRF6648PBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:DirectFETPower MOSFET 
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IRF6648TR1PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 86A 7.0mOhm 36nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6648TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF6648TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N DIRECTFET 60V MN
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