參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6648
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET
中文描述： DirectFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大小： 266K
代理商： IRF6648
www.irf.com
3
Fig 1.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Note
Surface mounted on 1 in. square Cu, steady state (still air).
Used double sided cooling,
with small clip heatsink (still air).
1 in. square Cu board
R
θ
is measured at
Note
Note
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
0.17199 0.000044
0.67673 0.001660
0.54961 0.007649
τ
i (sec)
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
C
τ
C
Ci=
τ
i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
W
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
P
D
@T
C
= 25°C
T
P
T
J
T
STG
Thermal Resistance
Power Dissipation
Power Dissipation
Power Dissipation
Peak Soldering Temperature
Operating Junction and
Storage Temperature Range
°C
Parameter
Typ.
–––
12.5
–––
1.0
Max.
45
–––
1.4
–––
Units
R
θ
JA
R
θ
JA
R
θ
JC
R
θ
J-PCB
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case
Junction-to-PCB Mounted
°C/W
270
-40 to + 150
Max.
2.8
1.8
89
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6655 DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)
IRF6668PBF DirectFET Power MOSFET
IRF6668TRBF DirectFET Power MOSFET
IRF6714MPBF DirectFET㈢Power MOSFET
IRF6714MTRPBF DirectFET㈢Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF6648TR1PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 86A 7.0mOhm 36nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6648TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF6648TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N DIRECTFET 60V MN
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