參數(shù)資料
型號： IRF6645
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET Typical calues (unless otherwise specified)
中文描述： DirectFET功率MOSFET的典型calues（除非另有說明）
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 245K
代理商： IRF6645
www.irf.com
5
Fig 13.
Typical Threshold Voltage vs.
Junction Temperature
Fig 12.
Maximum Drain Current vs. Ambient Temperature
Fig 10.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig11.
Maximum Safe Operating Area
Fig 14.
Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
IS
VGS = 0V
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
25
50
75
100
125
150
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
EA
ID
TOP
1.5A
2.4A
BOTTOM
3.4A
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
TA = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
25
50
75
100
125
150
TJ , Ambient Temperature (°C)
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
ID
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature ( °C )
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
VG
ID = 1.0A
ID = 1.0mA
ID = 250μA
ID = 50μA
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