參數(shù)資料
型號： IRF6645
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET Typical calues (unless otherwise specified)
中文描述： DirectFET功率MOSFET的典型calues（除非另有說明）
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 245K
代理商： IRF6645
2
www.irf.com
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
S
D
G
Electrical Characteristic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Β
V
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
/
T
J
Gate Threshold Voltage Coefficient
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Min.
100
Typ.
–––
Max.
–––
Units
V
–––
0.12
–––
V/°C
m
V
–––
28
35
3.0
–––
4.9
–––
-12
–––
mV/°C
–––
–––
20
μA
–––
–––
250
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
–––
100
nA
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
–––
-100
gfs
Q
g
Forward Transconductance
7.4
–––
–––
S
Total Gate Charge
–––
14
20
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
R
G
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
Diode Characteristics
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
–––
3.1
–––
Post-Vth Gate-to-Source Charge
–––
0.8
–––
nC
Gate-to-Drain Charge
–––
4.8
7.2
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
–––
5.3
–––
See Fig. 15
–––
5.6
–––
–––
7.2
–––
nC
Gate Resistance
–––
1.0
–––
Turn-On Delay Time
–––
9.2
–––
Rise Time
–––
5.0
–––
Turn-Off Delay Time
–––
18
–––
ns
Fall Time
–––
5.1
–––
Input Capacitance
–––
890
–––
Output Capacitance
–––
180
–––
pF
Reverse Transfer Capacitance
–––
40
–––
Output Capacitance
–––
870
–––
Output Capacitance
–––
100
–––
Parameter
Continuous Source Current
Min.
–––
Typ.
–––
Max.
25
Units
I
S
(Body Diode)
A
I
SM
Pulsed Source Current
–––
–––
45
(Body Diode)
V
SD
t
rr
Q
rr
Diode Forward Voltage
–––
–––
1.3
V
Reverse Recovery Time
–––
31
47
ns
Reverse Recovery Charge
–––
40
60
nC
I
D
= 3.4A
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 10V, I
D
= 3.4A
V
GS
= 10V
V
DS
= 50V
T
J
= 25°C, I
F
= 3.4A, V
DD
= 50V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 3.4A, V
GS
= 0V
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50μA
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 5.7A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 50V, V
GS
= 10V
I
D
= 3.4A
R
G
=6.2
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, f=1.0MHz
MOSFET symbol
Conditions
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V, f=1.0MHz
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PDF描述
IRF6648 DirectFET Power MOSFET
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IRF6668TRBF DirectFET Power MOSFET
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IRF6645TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 制造商:International Rectifier 功能描述:N MOSFET, 100V, 4.5A, DIRECTFET SJ
IRF6645TRPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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