參數(shù)資料
型號： IRF6622
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET
中文描述： DirectFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 244K
代理商： IRF6622
2
www.irf.com
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
25
–––
–––
–––
1.35
–––
–––
–––
–––
–––
55
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ.
–––
17
4.9
6.8
1.8
-5.9
–––
–––
–––
–––
–––
11
2.5
1.6
3.8
3.1
5.4
7.7
1.8
13
87
14
5.6
1450
380
210
Max. Units
–––
–––
6.3
8.9
2.35
–––
1.0
150
100
-100
–––
17
–––
–––
–––
–––
–––
–––
3.1
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
BV
DSS
Β
V
DSS
/
T
J
R
DS(on)
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
mV/°C
m
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
V
mV/°C
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
nA
gfs
Q
g
S
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
R
G
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
Diode Characteristics
nC
See Fig. 15
nC
ns
pF
Parameter
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Min.
–––
Typ.
–––
Max. Units
2.7
I
S
A
I
SM
–––
–––
120
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
10
7.1
1.0
15
11
V
ns
nC
di/dt = 500A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 12A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 12A
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
V
GS
= 4.5V, I
D
= 12A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 25μA
V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
V
GS
= 0V
V
DS
= 13V
= 1.0MHz
I
D
= 12A
Clamped Inductive Load
V
DD
= 13V, V
GS
= 4.5V
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 15A
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 13V, I
D
= 12A
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
DS
= 13V
MOSFET symbol
Conditions
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
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PDF描述
IRF6629PBF DirectFET Power MOSFET
IRF6629TRPbF DirectFET Power MOSFET
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IRF6638PBF DirectFET Power MOSFET
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IRF6622TR1PBF 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 6.3mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6622TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET, 25V, 12A, DIRECTFET SQ
IRF6622TRPBF 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 6.3mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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