參數(shù)資料
型號： IRF640NL
廠商： International Rectifier
英文描述： RES 5.62-OHM 1% 0.125W 100PPM THICK-FILM SMD-0805 5K/REEL-7IN-PA
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）\u003d 0.15ohm，身份證\u003d 18A條）
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大?。?/td> 155K
代理商： IRF640NL
www.irf.com
10
IRF640N/S/L
TO-262 Part Marking Information
TO-262 Package Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF640NS Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)
IRF6610 HEXFET Power MOSFET Silicon Technology with the advanced DirectFETTM
IRF6618TR1 Power MOSFET
IRF6618 HEXFET Power MOSFET
IRF6621 The IRF6621 combines the latest HEXFET Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFET packaging to achieve the lowest on-state resistance
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF640NLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IRF640NLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF640NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF640NS 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK
IRF640NSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 18A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
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