參數(shù)資料
型號： IDT70V7519S166DR
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
中文描述： 256K X 36 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PQFP208
封裝： PLASTIC, QFP-208
文件頁數(shù)： 13/22頁
文件大小： 490K
代理商： IDT70V7519S166DR
6.42
20
IDT70V7519S
High-Speed 256K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
JTAG AC Electrical
Characteristics(1,2,3,4)
70V7519
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Units
tJCYC
JTAG Clock Input Period
100
____
ns
tJCH
JTAG Clock HIGH
40
____
ns
tJCL
JTAG Clock Low
40
____
ns
tJR
JTAG Clock Rise Time
____
3(1)
ns
tJF
JTAG Clock Fall Time
____
3
(1)
ns
tJRST
JTAG Reset
50
____
ns
tJRSR
JTAG Reset Recovery
50
____
ns
tJCD
JTAG Data Output
____
25
ns
tJDC
JTAG Data Output Hold
0
____
ns
tJS
JTAG Setup
15
____
ns
tJH
JTAG Hold
15
____
ns
5618 tbl 12
NOTES:
1. Guaranteed by design.
2. 30pF loading on external output signals.
3. Refer to AC Electrical Test Conditions stated earlier in this document.
4. JTAG operations occur at one speed (10MHz). The base device may run at
any speed specified in this datasheet.
JTAG Timing Specifications
TCK
Device Inputs(1)/
TDI/TMS
Device Outputs(2)/
TDO
TRST
tJCD
tJDC
tJRST
tJS
tJH
tJCYC
tJRSR
tJF
tJCL
tJR
tJCH
5618 drw 21
,
Figure 5. Standard JTAG Timing
NOTES:
1. Device inputs = All device inputs except TDI, TMS, TRST, and TCK.
2. Device outputs = All device outputs except TDO.
相關PDF資料
PDF描述
IDT70V7519S166DRI HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7519S200DR HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7519S200DRI HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V9199L7PF HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V9199L7PFI HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
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參數(shù)描述
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