- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄353766 > IDT70T651S10DRI (Integrated Device Technology, Inc.) HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT70T651S10DRI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 高速2.5V的256/128K與3.3V 5011 2.5V的接口× 36 ASYNCHRONO美國雙端口靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 9/15頁 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | IDT70T651S10DRI |
6.42
IDT70V9379L
High-Speed 32K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
3
NOTES:
1. "H" = VIH, "L" = VIL, "X" = Don't Care.
2.
ADS, CNTEN, CNTRST = X.
3.
OE is an asynchronous input signal.
Truth Table IRead/Write and Enable Control(1,2,3)
Pin Names
Left Port
Right Port
Names
CE0L, CE1L
CE0R, CE1R
Chip Enables
R/
WL
R/
WR
Read/Write Enable
OEL
OER
Output Enable
A0L - A14L
A0R - A14R
Address
I/O0L - I/O17L
I/O0R - I/O17R
Data Input/Output
CLKL
CLKR
Clock
UBL
UBR
Upper Byte Select
LBL
LBR
Lower Byte Select
ADSL
ADSR
Address Strobe Enable
CNTENL
CNTENR
Counter Enable
CNTRSTL
CNTRSTR
Counter Reset
FT/PIPEL
FT/PIPER
Flow-Through / Pipeline
VCC
Power
GND
Ground
4857 tbl 01
OE
CLK
CE0
CE1
UB
LB
R/
W
Upper Byte
I/O9-17
Lower Byte
I/O0-8
MODE
X
↑
H
X
High-Z
Deselected–Power Down
X
↑
X
L
X
High-Z
Deselected–Power Down
X
↑
L
H
X
High-Z
Both Bytes Deselected
X
↑
LH
L
H
L
DATAIN
High-Z
Write to Upper Byte Only
X
↑
L
HHL
L
High-Z
DATAIN
Write to Lower Byte Only
X
↑
LH
LL
L
DATAIN
Write to Both Bytes
L
↑
LH
L
H
DATAOUT
High-Z
Read Upper Byte Only
L
↑
L
H
L
H
High-Z
DATAOUT
Read Lower Byte Only
L
↑
LH
LLH
DATAOUT
Read Both Bytes
H
X
L
H
L
X
High-Z
Outputs Disabled
4857 tbl 02
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V658S10DRI | HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT72V211115PF | 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO |
| IDT72V211115PFI | 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO |
| IDT72V211120PF | 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO |
| IDT72V211120PFI | LED ORANGE 610NM 0603 SMD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70T651S12BC | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T651S12BC8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T651S12BCI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T651S12BCI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T651S12BF | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。