參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70T651S10DRI
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
中文描述： 高速2.5V的256/128K與3.3V 5011 2.5V的接口× 36 ASYNCHRONO美國(guó)雙端口靜態(tài)RAM
文件頁(yè)數(shù)： 1/15頁(yè)
文件大?。?/td> 190K
代理商： IDT70T651S10DRI
2000 Integrated Device Technology, Inc.
JANUARY 2001
DSC-4857/2
1
Functional Block Diagram
Features:
x
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
x
High-speed clock to data access
– Commercial: 7.5/9/12ns (max.)
x
Low-power operation
– IDT70V9379L
Active: 500mW (typ.)
Standby: 1.5mW (typ.)
x
Flow-Through or Pipelined output mode on either port via
the
FT/PIPE pins
x
Counter enable and reset features
x
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
x
Full synchronous operation on both ports
– 4ns setup to clock and 0ns hold on all control, data, and
address inputs
– Data input, address, and control registers
– Fast 7.5ns clock to data out in the Pipelined output mode
– Self-timed write allows fast cycle time
– 12ns cycle time, 83MHz operation in Pipelined output mode
x
Separate upper-byte and lower-byte controls for
multiplexed bus and bus matching compatibility
x
LVTTL- compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
x
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is
available for selected speeds
x
Available in a 128-pin Thin Quad Flatpack (TQFP)
IDT70V9379L
0a 1a
0b 1b
0/1
ab
I/O
Control
1
0/1
0
FT/PIPER
R/WR
UBR
LBR
CE0R
OER
CE1R
MEMORY
ARRAY
Counter/
Address
Reg.
4857 drw 01
A14R
A0R
CLKR
ADSR
CNTENR
CNTRSTR
I/O9L-I/O17L
I/O0L-I/O8L
I/O9R-I/O17R
I/O0R-I/O8R
A0L
CLKL
ADSL
A14L
CNTENL
CNTRSTL
Counter/
Address
Reg.
R/WL
UBL
LBL
CE0L
OEL
CE1L
1
0/1
0
1b 0b
1a 0a
0/1
ba
I/O
Control
FT/PIPEL
HIGH-SPEED 3.3V 32K x 18
SYNCHRONOUS PIPELINED
DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V658S10DRI HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT72V211115PF 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO
IDT72V211115PFI 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO
IDT72V211120PF 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO
IDT72V211120PFI LED ORANGE 610NM 0603 SMD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70T651S12BC 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T651S12BC8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T651S12BCI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T651S12BCI8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T651S12BF 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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