參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70T651S10DRI
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
中文描述： 高速2.5V的256/128K與3.3V 5011 2.5V的接口× 36 ASYNCHRONO美國(guó)雙端口靜態(tài)RAM
文件頁(yè)數(shù)： 12/15頁(yè)
文件大?。?/td> 190K
代理商： IDT70T651S10DRI
6.42
IDT70V9379L
High-Speed 32K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
6
AC Test Conditions
Figure 1. AC Output Test load.
Figure 2. Output Test Load
(For tCKLZ, tCKHZ, tOLZ, and tOHZ).
*Including scope and jig.
Figure 3. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).
4857 drw 04
590
30pF
435
3.3V
DATAOUT
590
5pF*
435
3.3V
DATAOUT
4857 drw 03
1
2
3
4
5
6
7
8
20 40
100
60 80
120 140 160 180 200
tCD1
,
tCD2
(Typical, ns)
Capacitance (pF)
4857 drw 05
-1
0
- 10pF is the I/O capacitance
of this device, and 30pF is the
AC Test Load Capacitance
.
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
3ns Max.
1.5V
Figures 1, 2, and 3
4857 tbl 10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V658S10DRI HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT72V211115PF 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO
IDT72V211115PFI 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO
IDT72V211120PF 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO
IDT72V211120PFI LED ORANGE 610NM 0603 SMD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IDT70T651S12BCI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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