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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70T651S10DRI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 高速2.5V的256/128K與3.3V 5011 2.5V的接口× 36 ASYNCHRONO美國(guó)雙端口靜態(tài)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 190K |
| 代理商： | IDT70T651S10DRI |
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6.42
IDT70V9379L
High-Speed 32K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
13
ADDRESS
(4)
An
D0
tCH2
tCL2
tCYC2
Q0
Q1
0
CLK
DATAIN
R/W
CNTRST
4857 drw 17
INTERNAL
(3)
ADDRESS
ADS
CNTEN
tSRST tHRST
tSD
tHD
tSW tHW
COUNTER
RESET
WRITE
ADDRESS 0
READ
ADDRESS 0
READ
ADDRESS 1
READ
ADDRESS n
Qn
An + 1
An + 2
READ
ADDRESS n+1
DATAOUT
(5)
tSA tHA
1
An
An + 1
(6)
Ax
tSAD tHAD
tSCN tHCN
(6)
Timing Waveform of Write with Address Counter Advance
(Flow-Through or Pipelined Outputs)(1)
Timing Waveform of Counter Reset (Pipelined Outputs)(2)
ADDRESS
An
CLK
DATAIN
Dn
Dn + 1
Dn + 2
ADS
CNTEN
(7)
tCH2
tCL2
tCYC2
4857 drw 16
INTERNAL
(3)
ADDRESS
An
(7)
An + 1
An + 2
An + 3
An + 4
Dn + 3
Dn + 4
tSA
tHA
tSAD tHAD
WRITE
COUNTER HOLD
WRITE WITH COUNTER
WRITE
EXTERNAL
ADDRESS
WRITE
WITH COUNTER
tSD tHD
NOTES:
1.
CE0, UB, LB, and R/W = VIL; CE1 and CNTRST = VIH.
2. CE0, UB, LB = VIL; CE1 = VIH.
3. The "Internal Address" is equal to the "External Address" when
ADS = VIL and equals the counter output when ADS = VIH.
4. Addresses do not have to be accessed sequentially since
ADS = VIL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers are for reference use only.
5. Output state (High, Low, or High-impedance) is determined by the previous cycle control signals.
6. No dead cycle exists during counter reset. A READ or WRITE cycle may be coincidental with the counter reset cycle. ADDR0 will be accessed. Extra cycles
are shown here simply for clarification.
7.
CNTEN = VIL advances Internal Address from ‘An’ to ‘An +1’. The transition shown indicates the time required for the counter to advance.
The ‘An +1’ Address is written to during this cycle.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V658S10DRI | HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT72V211115PF | 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO |
| IDT72V211115PFI | 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO |
| IDT72V211120PF | 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO |
| IDT72V211120PFI | LED ORANGE 610NM 0603 SMD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT70T651S12BC8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T651S12BCI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
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