- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄353766 > IDT70T651S10DRI (Integrated Device Technology, Inc.) HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT70T651S10DRI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 高速2.5V的256/128K與3.3V 5011 2.5V的接口× 36 ASYNCHRONO美國雙端口靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 7/15頁 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | IDT70T651S10DRI |
6.42
IDT70V9379L
High-Speed 32K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
15
Ordering Information
NOTE:
1. Industrial temperature range is available.
For specific speeds, packages and powers contact your sales office.
A
Power
99
Speed
A
Package
A
Process/
Temperature
Range
Blank
I (1)
Commercial (0
°Cto +70°C)
Industrial (-40
°Cto+85°C)
PRF
128-pin TQFP (PK128-1)
7
9
12
XXXXX
Device
Type
IDT
Speed in nanoseconds
4857 drw 19
LLow Power
70V9379 576K (32K x 18-Bit) Synchronous Dual-Port RAM
Commercial Only
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
CORPORATE HEADQUARTERS
for SALES:
for Tech Support:
2975 Stender Way
800-345-7015 or 408-727-6116
831-754-4613
Santa Clara, CA 95054
fax: 408-492-8674
DualPortHelp@idt.com
www.idt.com
Datasheet Document History
9/30/99:
Initial Public Release
11/10/99:
Replace IDT logo
1/17/01:
Page 4
Changed information in Truth Table II
Increased storage temperature parameters
Clarified TA parameter
Page 5
DC Electrical parameters–changed wording from "open" to "disabled"
Changed ±200mV to 0mV in notes
Removed Preliminary status
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V658S10DRI | HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT72V211115PF | 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO |
| IDT72V211115PFI | 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO |
| IDT72V211120PF | 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO |
| IDT72V211120PFI | LED ORANGE 610NM 0603 SMD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IDT70T651S12BC8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T651S12BCI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T651S12BCI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T651S12BF | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
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