參數(shù)資料
型號: IDT12S60C
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode
中文描述: 第二代thinQ!碳化硅肖特基二極管
文件頁數(shù): 5/7頁
文件大小: 245K
代理商: IDT12S60C
IDT12S60C
9 Typ. C stored energy
10 Typ. capacitance charge vs. current slope
E
C
=f(
V
R
)
Q
C
=f(d
i
F
/d
t
)
4)
;
T
j
=150 °C;
I
F
I
F,max
0
10
20
30
40
100
400
700
1000
di
F
/d
t
[A/μs]
Q
c
[
0
5
10
15
0
100
200
300
400
500
600
V
R
[V]
E
c
Rev. 2.0
page 5
2006-03-14
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