參數(shù)資料
型號： IDT12S60C
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode
中文描述： 第二代thinQ！碳化硅肖特基二極管
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 245K
代理商： IDT12S60C
IDT12S60C
5 Typ. forward power dissipation vs.
6 Typ. reverse current vs. reverse voltage
average forward current
I
R
=f(
V
R
)
P
F,AV
=f(
I
F
),
T
C
=100 °C, parameter:
D
=
t
p
/
T
parameter:
T
j
7 Transient thermal impedance
8 Typ. capacitance vs. reverse voltage
Z
thJC
=f(
t
p
)
C
=f(
V
R
);
T
C
=25 °C,
f
=1 MHz
parameter:
D
=
t
p
/
T
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
0
100
200
300
400
500
600
700
V
R
[V]
C
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
1
10
0
10
-1
10
-2
t
P
[s]
Z
t
-55 °C
25 °C
100 °C
150 °C
175 °C
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
100
200
300
400
500
600
V
R
[V]
I
R
0.1
0.2
0.5
1
0
10
20
30
40
50
60
0
5
10
15
20
25
30
35
I
F(AV)
[A]
P
F
Rev. 2.0
page 4
2006-03-14
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PDF描述
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