參數(shù)資料
型號(hào)： IDT12S60C
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode
中文描述： 第二代thinQ！碳化硅肖特基二極管
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大小： 245K
代理商： IDT12S60C
IDT12S60C
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
-
-
1.3
K/W
Thermal resistance,
junction - ambient
R
thJA
leaded
-
-
62
Soldering temperature,
wavesoldering only allowed at leads
T
sold
1.6mm(0.063 in.) from
case for 10s
-
-
260
°C
Electrical characteristics,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
DC blocking voltage
V
DC
I
R
=0.16 mA
600
-
-
V
Diode forward voltage
V
F
I
F
=12 A,
T
j
=25 °C
-
1.5
1.7
I
F
=12 A,
T
j
=150 °C
-
1.7
2.1
Reverse current
I
R
V
R
=600 V,
T
j
=25 °C
-
1.5
160
μA
V
R
=600 V,
T
j
=150 °C
-
6
1600
AC characteristics
Total capacitive charge
Q
c
-
30
-
nC
Switching time
3)
t
c
-
-
<10
ns
Total capacitance
C
V
R
=1 V,
f
=1 MHz
-
530
-
pF
V
R
=300 V,
f
=1 MHz
-
70
-
V
R
=600 V,
f
=1 MHz
-
70
-
4)
Only capacitive charge occuring, guaranteed by design.
Values
V
R
=400 V,
I
F
≤
I
F,max
,
d
i
F
/d
t
=200 A/μs,
T
j
=150 °C
3)
t
c
is the time constant for the capacitive displacement current waveform (independent from T
j
, I
LOAD
and
di/dt), different from t
rr
, which is dependent on T
j
, I
LOAD
, di/dt. No reverse recovery time constant t
rr
due to
absence of minority carrier injection.
1)
J-STD20 and JESD22
2)
All devices tested under avalanche conditions, for a time periode of 5ms, at 5mA.
Rev. 2.0
page 2
2006-03-14
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IDT1337DCGI 功能描述:IC SERIAL RTC I2C LP 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 類型:時(shí)鐘/日歷 特點(diǎn):警報(bào)器，閏年，監(jiān)控器，監(jiān)視計(jì)時(shí)器 存儲(chǔ)容量:- 時(shí)間格式:HH:MM:SS（12/24 小時(shí)） 數(shù)據(jù)格式:YY-MM-DD-dd 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 電壓 - 電源，電池:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:14-TSSOP 包裝:帶卷 (TR)
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