參數(shù)資料
型號： IDT12S60C
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode
中文描述： 第二代thinQ！碳化硅肖特基二極管
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大小： 245K
代理商： IDT12S60C
IDT12S60C
1 Power dissipation
2 Diode forward current
P
tot
=f(
T
C
)
I
F
=f(
T
C
);
T
j
≤
175 °C
parameter:
R
thJC(max)
parameter.
R
thJC(max)
;
V
F(max)
3 Typ. forward characteristic
4 Typ. forward characteristic in surge current
I
F
=f(
V
F
);
t
p
=400 μs
mode
parameter:
T
j
I
F
=f(
V
F
);
t
p
=400 μs; parameter:
T
j
0
20
40
60
80
100
120
25
50
75
100
T
C
[°C]
125
150
175
200
P
t
-55 °C
25 °C
100 °C
150 °C
175 °C
0
10
20
30
40
0
1
2
3
4
V
F
[V]
I
F
0
5
10
15
20
25
30
35
25
50
75
100
T
C
[°C]
125
150
175
200
I
F
-55 °C
25 °C
100 °C
150 °C
175 °C
0
20
40
60
80
100
120
140
0
1
2
3
4
5
6
7
V
F
[V]
I
F
Rev. 2.0
page 3
2006-03-14
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PDF描述
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