參數(shù)資料
型號(hào)： IDT12S60C
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode
中文描述： 第二代thinQ！碳化硅肖特基二極管
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 245K
代理商： IDT12S60C
IDT12S60C
2
nd
Generation thinQ!
TM
SiC Schottky Diode
Features
Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide
Switching behavior benchmark
No reverse recovery/ No forward recovery
No temperature influence on the switching behavior
High surge current capability
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Qualified according to JEDEC
1)
for target applications
Breakdown voltage tested at 5mA
2)
thinQ! 2G Diode specially designed for fast switching applications like:
CCM PFC
Motor Drives
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous forward current
I
F
T
C
<140 °C
12
A
RMS forward current
I
F,RMS
f
=50 Hz
18
Surge non-repetitive forward current,
sine halfwave
I
F,SM
T
C
=25 °C,
t
p
=10 ms
98
Repetitive peak forward current
I
F,RM
T
j
=150 °C,
T
C
=100 °C,
D
=0.1
49
Non-repetitive peak forward current
I
F,max
T
C
=25 °C,
t
p
=10 μs
410
i2t value
∫
i
2
d
t
T
C
=25 °C,
t
p
=10 ms
48
A
2
s
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
600
V
Diode ruggedness dv/dt
d
v/
d
t
V
R
=0…480V
50
V/ns
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
115
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... 175
°C
Mounting torque
M3 and M3.5 screws
60
Ncm
Value
V
DC
600
V
Q
c
30
nC
I
F
12
A
Product Summary
PG-TO220-2-2
Type
Package
Marking
Pin 1
Pin 2
IDT12S60C
PG-TO220-2-2
D12S60C
C
A
Rev. 2.0
page 1
2006-03-14
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IDT1337DCGI 功能描述:IC SERIAL RTC I2C LP 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 類型:時(shí)鐘/日歷 特點(diǎn):警報(bào)器，閏年，監(jiān)控器，監(jiān)視計(jì)時(shí)器 存儲(chǔ)容量:- 時(shí)間格式:HH:MM:SS（12/24 小時(shí)） 數(shù)據(jù)格式:YY-MM-DD-dd 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 電壓 - 電源，電池:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:14-TSSOP 包裝:帶卷 (TR)
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