參數(shù)資料
型號(hào): HYMD18M645AL6-K
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: 8M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA200
封裝: 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200
文件頁數(shù): 13/16頁
文件大?。?/td> 232K
代理商: HYMD18M645AL6-K
HYMD18M645A(L)6-K/H/L
Rev. 0.5/May. 02
6
CAPACITANCE (TA=25oC, f=100MHz )
Note :
1. VDD = min. to max., VDDQ = 2.3V to 2.7V, VODC = VDDQ/2, VOpeak-to-peak = 0.2V
2. Pins not under test are tied to GND.
3. These values are guaranteed by design and are tested on a sample basis only.
OUTPUT LOAD CIRCUIT
Parameter
Pin
Symbol
Min
Max
Unit
Input Capacitance
A0 ~ A11, BA0, BA1
CIN1
27
41
pF
Input Capacitance
/RAS, /CAS, /WE
CIN2
27
41
pF
Input Capacitance
CKE0, CKE1
CIN3
27
41
pF
Input Capacitance
/CS0, /CS1
CIN4
27
41
pF
Input Capacitance
CK0, /CK0, CK1, /CK1
CIN5
16
20
pF
Input Capacitance
DM0 ~ DM7
CIN6
811
pF
Data Input / Output Capacitance
DQ0 ~ DQ63, DQS0 ~ DQS7
CIO1
811
pF
VREF
VTT
RT=50
Zo=50
CL=30pF
Output
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PDF描述
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