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參數(shù)資料
| 型號： | HYE25L256160AF-7.5 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| 中文描述： | BJAWBMSpecialty DRAM的移動RAM |
| 文件頁數(shù)： | 31/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 1053K |
| 代理商： | HYE25L256160AF-7.5 |
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Data Sheet
31
V1.1, 2003-04-16
HYE25L256160AC
256-Mbit Mobile-RAM
Timing Diagrams
Burst Write and Read with Auto Precharge
Figure 14
Burst Write with Auto-Precharge
Figure 15
Burst Read with Auto-Precharge
SPT03909_2
CLK
Active
NOP
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Comm and
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ's
Bank A
Begin Auto Precharge
Bank can be reactivated after trp
Write A
Auto Precharge
DIN A1
DIN A0
DIN A1
DIN A0
CAS Latency = 2:
DQ's
CAS Latency = 3:
WR
t
WR
t
RP
t
RP
t
*
*
Active
NOP
Comm and
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
Bank A
Write A
Auto Precharge
NOP
Activate
(Burst Length = 2, CAS latency = 2, 3 )
Activate
SPT03721_2
CLK
with AP
NOP
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
latency = 2
DQ's
DOUT A3
latency = 3
DQ's
DOUT A1
DOUT A0
DOUT A2
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CAS
CAS
Read A
Bank can be reactivated after trp
Begin Auto Precharge
RP
t
*
*
*
t
RP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYE25L256160AC | 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYE25L256160AC-8 | 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYE25L256160AF | 256MBit Mobile-RAM |
| HYE25L256160AF-75 | CAP TANT 10UF 6.3V 20% SMD |
| HYE25L256160AC-7.5 | BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYESD0514P | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
| HYESD0524A6 | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
| HYESD0524P | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
| HYESD1025QG | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:2 Channel Low Capacitance ESD Protection DIode Array |
| HYESD1065M | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:6 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
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