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參數(shù)資料
| 型號： | HYE25L256160AF-7.5 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| 中文描述： | BJAWBMSpecialty DRAM的移動RAM |
| 文件頁數(shù)： | 21/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 1053K |
| 代理商： | HYE25L256160AF-7.5 |
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3
3
8
8
9.5
–
–
–
0.5
Data Sheet
21
V1.1, 2003-04-16
HYE25L256160AC
256-Mbit Mobile-RAM
Electrical Characteristics
4.2
Timing Characteristics
Table 9
Parameter
Input and Output Capacitances
Symbol
Values
typ.
–
–
–
Unit
Note/
Test Condition
min.
–
–
4.0
max.
3.5
3.8
5.0
Input Capacitance: CLK
Input Capacitance: All other input-only pins
Input/Output Capacitance: DQ
C
I1
C
I2
C
IO
pF
pF
pF
1)
1) These values are guaranteed by design and are tested on a sample base only.
V
DDQ
=
V
DD
= 2.5 V
±
0.2 V,
f
= 1 MHz,
T
CASE
= 25
°
C,
V
OUT(DC)
=
V
DDQ
/2,
V
OUT
(Peak to Peak) 0.2 V. Unused pins are tied to ground.
1)
1)
Table 10
Parameter
AC Timing Characteristics
1)2)
Symbol
–8
max.
–7.5
max.
Unit Note/ Test Condition
min.
min.
Clock
DQ output access time from CLK
t
AC3
–
–
–
–
–
7.5
6
6
7.5
6
–
–
–
–
–
125
125
105
1.5
–
–
–
–
–
2.5
2.5
7.5
8
9.5
–
–
–
0.3
7.5
6
5.4
7.5
6
–
–
–
–
–
133
125
105
1.2
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MHz
V
DDQ
≥
2.3 V
3)
MHz
V
DDQ
< 2.3 V
3)
MHz
ns
–
V
DDQ
< 2.3 V
3)4)5)8)
V
DDQ
≥
2.3 V
3)4)5)8)
V
DDQ
≥
3.0 V
3)4)5)8)
V
DDQ
< 2.3 V
3)4)5)8)
V
DDQ
≥
2.3 V
3)4)5)8)
–
–
V
DDQ
≥
2.3 V
3)
V
DDQ
< 2.3 V
3)
3)
t
AC2
CK high-level width
CK low-level width
Clock cycle time
t
CH
t
CL
t
CK3
t
CK2
f
CK3
Clock frequency
f
CK2
t
T
3)
Transition time
Setup and Hold Times
Input setup time
Input hold time
CKE setup time
CKE hold time
Mode register setup time
Power down moder entry time
Common Parameters
Active to Read or Write delay
Precharge command period
Active to Precharge command
Active bank A to Active bank A period
Active bank A to Active bank B delay
t
IS
t
IH
t
CKS
t
CKH
t
RSC
t
SB
2
1
2
1
2
0
–
–
–
–
–
8
1.5
0.8
1.5
0.8
2
0
–
–
–
–
–
7.5
ns
ns
ns
ns
t
CK
ns
6)
6)
6)
6)
–
–
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
t
RRD
19
19
48
70
16
–
–
100000 45
–
–
19
19
–
–
100000 ns
–
–
ns
ns
7)
7)
7)
67
15
ns
ns
7)
7)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYE25L256160AC | 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYE25L256160AC-8 | 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYE25L256160AF | 256MBit Mobile-RAM |
| HYE25L256160AF-75 | CAP TANT 10UF 6.3V 20% SMD |
| HYE25L256160AC-7.5 | BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYESD0514P | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
| HYESD0524A6 | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
| HYESD0524P | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
| HYESD1025QG | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:2 Channel Low Capacitance ESD Protection DIode Array |
| HYESD1065M | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:6 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
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