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參數(shù)資料
| 型號： | HYE25L256160AF-7.5 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| 中文描述： | BJAWBMSpecialty DRAM的移動RAM |
| 文件頁數(shù)： | 20/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 1053K |
| 代理商： | HYE25L256160AF-7.5 |
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Values
HYE25L256160AC
256-Mbit Mobile-RAM
Electrical Characteristics
Data Sheet
20
V1.1, 2003-04-16
4
Electrical Characteristics
4.1
Operating Conditions
Attention: Stresses above those listed here may cause permanent damage to the device. Exposure to
absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.
Maximum ratings are absolute ratings; exceeding only one of these values may cause
irreversible damage to the integrated circuit.
Table 7
Parameter
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Values
typ.
—
—
—
—
—
—
—
50
Unit
Note/
Test Condition
min.
–1.0
–1.0
–1.0
–1.0
–25
–55
—
—
max.
V
DD
+ 0.5 V
+4.6
+4.6
+4.6
+85
+150
0.7
—
Voltage on I/O pins relative to
V
SS
Voltage on I/O pins relative to
V
SS
Voltage on
V
DD
supply relative to
V
SS
Voltage on
V
DDQ
supply relative to
V
SS
Operating Case Temperature (extended)
Storage Temperature (Plastic)
Power Dissipation
Short Circuit Output Current
V
IN
,
V
OUT
V
IN
,
V
OUT
V
DD
V
DDQ
T
CASE
T
STG
P
D
I
OUT
—
—
—
—
—
—
—
—
V
V
V
°
C
°
C
W
mA
Table 8
Parameter
Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
1)
Symbol
min.
Supply Voltage
V
DD
I/O Supply Voltage
V
DDQ
Supply Voltage
V
SS
I/O Supply Voltage
V
SSQ
Input High (Logic 1) Voltage
V
IH
Input Low (Logic 0) Voltage
V
IL
Output High (Logic 1) Voltage
V
OH
Output Low (Logic 0) Voltage
V
OL
Input Leakage Current
I
IL
1)
–25
°
C
≤
T
CASE
≤
+85
°
C
2)
V
DDQ
<
V
DD
+ 0.3 V
3) All voltages referenced to
V
SS
4)
V
IH
may overshoot to
V
DDQ
+ 2.0 V for pulse width of < 4 ns.
V
IL
may undershoot to – 2.0 V for pulse width < 4 ns.
Pulse width measured at 50% points with amplitude measured peak to DC reference
Unit Note/ Test Condition
max.
+3.6
+3.6
0
0
V
DDQ
+ 0.3
+0.3
—
+0.2
+5
+2.3
+1.65
0
0
0.8 x
V
DDQ
–0.3
V
DDQ
– 0.2
—
–5
V
V
V
V
V
V
V
V
μ
A
—
2)
—
—
3)4)
3)4)
I
OH
= –0.1 mA
I
OH
= +0.1 mA
Any input 0 V
≤
V
IN
≤
V
DD
;
all other pins not under test
V
IN
= 0 V
DQ is disabled; 0 V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
Output Leakage Current
I
OZ
–5
+5
μ
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYE25L256160AC | 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYE25L256160AC-8 | 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYE25L256160AF | 256MBit Mobile-RAM |
| HYE25L256160AF-75 | CAP TANT 10UF 6.3V 20% SMD |
| HYE25L256160AC-7.5 | BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYESD0514P | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
| HYESD0524A6 | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
| HYESD0524P | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
| HYESD1025QG | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:2 Channel Low Capacitance ESD Protection DIode Array |
| HYESD1065M | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:6 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
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