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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3117405BJ-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| 中文描述： | 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
| 文件頁數(shù)： | 9/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 285K |
| 代理商： | HYB3117405BJ-50 |
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Semiconductor Group
9
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Output buffer turn-off delay
t
OFF
t
OEZ
t
DZC
t
DZO
t
CDD
t
ODD
0
13
0
15
0
17
ns
12
Output turn-off delay from OE
0
13
0
15
0
17
ns
12
Data to CAS low delay
0
–
0
–
0
–
ns
13
Data to OE low delay
0
–
0
–
0
–
ns
13
CAS high to data delay
10
–
13
–
15
–
ns
14
OE high to data delay
10
–
13
–
15
–
ns
14
Write Cycle
Write command hold time
t
WCH
t
WP
t
WCS
8
–
10
–
10
–
ns
Write command pulse width
8
–
10
–
10
–
ns
Write command setup time
0
–
0
–
0
–
ns
15
Write command to RAS lead time
t
RWL
Write command to CAS lead time
t
CWL
Data setup time
13
–
15
–
17
–
ns
13
–
15
–
17
–
ns
t
DS
t
DH
0
–
0
–
0
–
ns
16
Data hold time
8
–
10
–
12
–
ns
16
Read-modify-Write Cycle
Read-write cycle time
t
RWC
t
RWD
t
CWD
113
–
138
–
162
–
ns
RAS to WE delay time
64
–
77
–
89
–
ns
15
CAS to WE delay time
27
–
32
–
36
–
ns
15
Column address to WE delay time
t
AWD
OE command hold time
39
–
47
–
54
–
ns
15
t
OEH
10
–
13
–
15
–
ns
Hyper Page Mode (EDO) Cycle
Hyper page mode (EDO) cycle
time
t
HPC
20
–
25
–
30
–
ns
CAS precharge time
t
CP
t
CPA
t
COH
t
RAS
8
–
10
–
10
–
ns
Access time from CAS precharge
–
27
–
32
–
37
ns
7
Output data hold time
5
–
5
–
5
–
ns
RAS pulse width in EDO mode
50
200k
60
200k 70
200k
ns
AC Characteristics
(cont’d)
5)6)
16E
T
A
= 0 to 70 °C,
V
CC
= 5 V
±
10 %,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
-70
min.
max. min.
max. min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3116405BJ-50 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJ-50 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJ-70 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJ-60 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJL-50 | x8 Fast Page Mode DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYB3117405BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3117405BT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB3117405BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB3117405BT-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
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