參數(shù)資料
型號(hào): HYB3117405BJ-50
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
中文描述: 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24
封裝: 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24
文件頁(yè)數(shù): 16/26頁(yè)
文件大?。?/td> 285K
代理商: HYB3117405BJ-50
Semiconductor Group
16
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Hyper Page Mode (EDO) Read Cycle
t
RP
t
RSH
t
CAS
t
CAS
t
CP
t
CRP
t
RAL
t
CAH
t
CAH
t
ASC
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RAH
t
ASR
Column 2
Row
Data Out
1
RAS
I/O
(Output)
WE
Address
CAS
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
“H” or “L”
VOH
VOL
OE
t
RAS
t
CRP
t
ASC
t
HPC
t
CAH
t
RAD
t
RHCP
t
ASC
t
RCS
t
RRH
t
RCH
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
CLZ
t
OEA
t
OES
t
COH
t
CAC
t
AA
t
CPA
Data Out
Column N
Column 1
Data Out
N
t
OEZ
t
OFF
t
CAC
t
AA
t
CPA
2
t
COH
WL5
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PDF描述
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參數(shù)描述
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