參數(shù)資料
型號: HYB3117405BJ-50
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
中文描述: 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24
封裝: 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24
文件頁數(shù): 20/26頁
文件大小: 285K
代理商: HYB3117405BJ-50
Semiconductor Group
20
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Self Refresh
t
RPS
t
RASS
t
RP
t
CRP
t
CP
t
RPC
t
WRH
t
WRP
t
CSR
t
OFF
t
OEZ
t
CDD
t
ODD
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
HI-Z
“H” or “L”
RAS
I/O
(Outputs)
I/O
(Inputs)
OE
WE
CAS
VOH
VOL
t
CHS
WL13
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB3116405BJ-50 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
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參數(shù)描述
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