參數(shù)資料
型號(hào): HYB3117405BJ-50
廠商: SIEMENS A G
元件分類: DRAM
英文描述: 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
中文描述: 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24
封裝: 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24
文件頁數(shù): 25/26頁
文件大?。?/td> 285K
代理商: HYB3117405BJ-50
Semiconductor Group
25
HYB 3116(7)405BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
Test Mode Entry
t
RC
t
RAS
t
RP
t
RPC
t
CRP
t
CHR
t
WTH
t
RPC
t
RP
t
CP
t
CSR
t
WTS
t
CDD
t
OFF
t
OEZ
t
ODD
I/O
(Outputs)
VOH
VOL
VIH
VIL
VIH
VIL
I/O
(Inputs)
OE
WE
VIH
VIL
CAS
RAS
VIH
VIL
VIH
VIL
“H” or “L”
HI-Z
Address
t
RAH
t
ASR
VIH
VIL
Row
WL15
HI-Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB3116405BJ-50 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
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HYB3117800BSJ-60 2M x 8-Bit Dynamic RAM
HYB3117800BSJL-50 x8 Fast Page Mode DRAM
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參數(shù)描述
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