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參數(shù)資料
| 型號： | HY5R256HC |
| 英文描述： | -|2.5V|8K|40|Direct RDRAM - 256M |
| 中文描述： | - |為2.5V | 8K的| 40 |直接RDRAM的- 256M |
| 文件頁數(shù)： | 31/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 4542K |
| 代理商： | HY5R256HC |
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Rev.0.9 / Dec.2000
31
Direct RDRAM
256/288-Mbit (512Kx16/18x32s) Preliminary
046
16
PDNXA
PDNXA
read-write, 13 bits
PDN exit. Specifies length of PDN exit phase A.
047
16
PDNX
PDNX
read-write, 13 bits
PDN exit. Specifies length of PDN exit phase A + phase B.
048
16
TPARM
TCAS
read-write, 2 bits
t
CAS-C
core parameter. Determines t
OFFP
datasheet parameter.
TCLS
read-write, 2 bits
t
CLS-C
core parameter. Determines t
CAC
and t
OFFP
parameters.
TCDLY0
read-write, 3 bits
t
CDLY0-C
core parameter. Programmable delay for read data.
049
16
TFRM
TFRM
read-write, 4 bits
t
FRM-C
core parameter. Determines ROW-COL packet framing interval.
04a
16
TCDLY1
TCDLY1
read-write, 3 bits
t
CDLY1-C
core parameter. Programmable delay for read data.
04c
16
TCYCLE
TCYCLE
read-write, 14 bits
t
CYCLE
datasheet parameter. Specifies cycle time in 64ps units.
048
16
SKIP
AS
read-only, 1 bits
Autoskip value established by the SETF command.
MSE
read-write, 1 bits
Manual skip enable. Allows the MS value to override the AS value.
MS
read-write, 1 bits
Manual skip value.
04d
16-
TEST77
TEST77
read-write, 16 bits
Test register. Write with zero after SIO reset.
04e
16-
TEST78
TEST78
read-write, 16 bits
Test register.
04f
16-
TEST79
TEST79
read-write, 16 bits
Test register. Do not read or write after SIO reset.
080
16
- 0ff
16
reserved
reserved
vendor-specific
Vendor-specific test registers. Do not read or write after SIO reset.
Table 15: Control Register Summary
SA11..SA0
Register
Field
read-write/ read-only
Description
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5R288HC | -|2.5V|8K|40|Direct RDRAM - 288M |
| HY5V16CF | 1Mx16|3.3V|4K|H|SDR SDRAM - 16M |
| HY5V16CF-H | x16 SDRAM |
| HY5V16CF-S | x16 SDRAM |
| HY6116-10 | x8 SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5S2B6DLF-BE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S2B6DLFP-BE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S2B6DLFP-SE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S2B6DLF-SE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S5B2BLF-6E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M (8Mx32bit) Mobile SDRAM |
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