參數(shù)資料
型號: HY5DU281622ET-26
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: 128M(8Mx16) GDDR SDRAM
中文描述: 8M X 16 DDR DRAM, 0.6 ns, PDSO66
封裝: 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
文件頁數(shù): 6/34頁
文件大?。?/td> 379K
代理商: HY5DU281622ET-26
Rev. 0.5 / Jan. 2005
6
HY5DU281622ET
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
4Banks x 2Mbit x 16 I/O Double Data Rate Synchronous DRAM
DQ[0:15]
Bank
Control
Write Data Register
2-bit Prefetch Unit
CLK
CKE
LDM
UDM
/WE
/RAS
/CAS
/CS
/CLK
Mode
Register
Row
Decoder
S
2Mx16/Bank0
2Mx16/Bank3
2Mx16/Bank2
2Mx16/Bank1
2
O
I
Data Strobe
Transmitter
DLL
Block
A0~A11
Column Address
Counter
Column Decoder
Data Strobe
Receiver
Command
Decoder
Address
Buffer
32
16
16
CLK
/CLK
32
DS
LDQS, UDQS
CLK_DLL
LDQS
UDQS
Mode
Register
BA0, BA1
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