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參數(shù)資料
| 型號： | HY5DU281622ET-26 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.6 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 2/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 379K |
| 代理商： | HY5DU281622ET-26 |
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Rev. 0.5 / Jan. 2005
2
HY5DU281622ET
Revision History
Revision No.
History
Draft Date
Remark
0.1
Defined target spec.
July 2003
0.2
1) Insert Overshoot/Undershoot Specification
2) Insert tDSS/tDSH Parameter
Oct. 2003
0.3
tPDEX value Change
Mar. 2004
0.4
tRC_APCG changed to 12 clock from 11 clock at 166Mhz speed bin
Oct. 2004
0.5
166Mhz speed bin delete, AC parameter change (tRC_APCG at 200Mhz)
Jan. 2005
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DU281622ET-28 | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU281622ET-30 | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU281622ET-33 | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU281622ET-36 | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU281622ET-4 | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DU281622ET-28 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU281622ET-30 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU281622ET-33 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU281622ET-36 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU281622ET-4 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
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