參數(shù)資料
型號(hào)： HY5DU281622ET-26
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 128M(8Mx16) GDDR SDRAM
中文描述： 8M X 16 DDR DRAM, 0.6 ns, PDSO66
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
文件頁(yè)數(shù)： 30/34頁(yè)
文件大?。?/td> 379K
代理商： HY5DU281622ET-26
Rev. 0.5 / Jan. 2005
30
HY5DU281622ET
AC CHARACTERISTICS - I
(Continued)
Parameter
Symbol
4
5
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Row Cycle Time(Manual Precharge)
t
RC
15
-
12
-
CK
Row Cycle Time(Auto Precharge)
tRC_APCG
17
-
13
-
Auto Refresh Row Cycle Time
t
RFC
18
-
14
-
CK
Row Active Time
t
RAS
10
100K
8
100K
CK
Row Address to Column Address Delay for Read
t
RCDRD
5
-
4
-
CK
Row Address to Column Address Delay
for Write
t
RCDWR
3
-
2
-
CK
Row Active to Row Active Delay
t
RRD
3
-
2
-
CK
Column Address to Column Address Delay
t
CCD
1
-
1
-
CK
Row Precharge Time
t
RP
5
-
4
-
CK
Write Recovery Time
t
WR
3
-
3
-
CK
Last Data-In to Read Command
t
DRL
2
-
2
-
CK
Auto Precharge Write Recovery +
Precharge Time
t
DAL
8
-
7
-
CK
System Clock Cycle Time
CL=4
t
CK
4
10
-
-
ns
CL=3
-
-
5
10
Clock High Level Width
t
CH
0.45
0.55
0.45
0.55
CK
Clock Low Level Width
t
CL
0.45
0.55
0.45
0.55
CK
Data-Out edge to Clock edge Skew
t
AC
-0.6
0.6
-0.65
0.65
ns
DQS-Out edge to Clock edge Skew
t
DQSCK
-0.6
0.6
-0.55
0.55
ns
DQS-Out edge to Data-Out edge Skew
t
DQSQ
-
0.4
-
0.4
ns
Data-Out hold time from DQS
t
QH
tHPmin
-tQHS
-
tHPmin
-tQHS
-
ns
1,6
Clock Half Period
t
HP
tCH/L
min
-
tCH/L
min
-
ns
1,5
Data Hold Skew Factor
t
QHS
-
0.4
-
0.45
ns
6
Input Setup Time
t
IS
0.75
-
0.6
-
ns
2
Input Hold Time
t
IH
0.75
-
0.6
-
ns
2
Write DQS High Level Width
t
DQSH
0.4
0.6
0.4
0.6
CK
Write DQS Low Level Width
t
DQSL
0.4
0.6
0.4
0.6
CK
Clock to First Rising edge of DQS-In
t
DQSS
0.85
1.15
0.72
1.28
CK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY5DU281622ET-28 128M(8Mx16) GDDR SDRAM
HY5DU281622ET-30 128M(8Mx16) GDDR SDRAM
HY5DU281622ET-33 128M(8Mx16) GDDR SDRAM
HY5DU281622ET-36 128M(8Mx16) GDDR SDRAM
HY5DU281622ET-4 128M(8Mx16) GDDR SDRAM
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參數(shù)描述
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HY5DU281622ET-33 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM
HY5DU281622ET-36 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM
HY5DU281622ET-4 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM
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