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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5DU281622ET-25 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.55 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/34頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 379K |
| 代理商： | HY5DU281622ET-25 |
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Rev. 0.5 / Jan. 2005
8
HY5DU281622ET
WRITE MASK TRUTH TABLE
Function
CKEn-1
CKEn
/CS, /RAS,
/CAS, /WE
DM
ADDR
A8/
AP
BA
Note
Data Write
H
X
X
L
X
1,2,3
Data-In Mask
H
X
X
H
X
1,2,3
Note :
1. Write Mask command masks burst write data with reference to UDQS/LDQS and it is not related with read data.
2. LDM corresponds to the data on DQ0-Q7 and UDM corresponds to the data on DQ8-Q15
3. In here, Don’t Care means logical value only, it doesn’t mean ’Don’t care for DC level of each signals’. DC level should be out of
V
IHmin
~ V
ILmax
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HY5DU281622ET-26 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU281622ET-28 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
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| HY5DU281622ET-33 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DU281622ET-36 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
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