參數(shù)資料
型號(hào)： HY5DU281622ET-25
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 128M(8Mx16) GDDR SDRAM
中文描述： 8M X 16 DDR DRAM, 0.55 ns, PDSO66
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
文件頁(yè)數(shù)： 25/34頁(yè)
文件大小： 379K
代理商： HY5DU281622ET-25
Rev. 0.5 / Jan. 2005
25
HY5DU281622ET
AC Overshoot/Undershoot specifications for Address and Command pins
AC Overshoot/Undershoot specifications for Data, Strobe and Mask Pins
Parameter
200MHz Specifications
Maximum peak amplitude allowwed for overshoot
1.5 V
Maximum peak amplitude allowwed for undershoot
1.5 V
The area between the overshoot signal and VDD must be less than or equal to(See below Fig)
4.5 V-nS
The area between the overshoot signal and GND must be less than or equal to(See below Fig)
4.5 V-nS
Parameter
200MHz Specifications
Maximum peak amplitude allowwed for overshoot
1.2 V
Maximum peak amplitude allowwed for undershoot
1.2 V
The area between the overshoot signal and VDD must be less than or equal to(See below Fig)
2.4 V-nS
The area between the overshoot signal and GND must be less than or equal to(See below Fig)
2.4 V-nS
V
DD
0
1
2
3
4
5
6
0
+1
+2
+3
+4
+5
-1
-2
-3
Volts
(V)
Time(ns)
Ground
Max. area=4.5V-ns
Max. amplitude=1.5V
V
DD
0
1
2
3
4
5
6
0
+1
+2
+3
+4
+5
-1
-2
-3
Volts
(V)
Time(ns)
Ground
Max. area=2.4V-ns
Max. amplitude=1.2V
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