參數(shù)資料
型號(hào)： HY5DU12422BLT-H
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
文件頁(yè)數(shù)： 18/31頁(yè)
文件大小： 686K
代理商： HY5DU12422BLT-H
Rev. 1.1 / Apr. 2006
25
1HY5DU12422B(L)T
HY5DU12822B(L)T
HY5DU121622B(L)T
- Continue
Parameter
Symbol
DDR400B
DDR333
DDR266A
DDR266B
DDR200
UNIT
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Data-out high-impedance window
from CK,/CK10
tHZ
-0.7
0.7
-0.7
0.7
-0.75
0.75
-0.75
0.75
-0.8
0.8
ns
Data-out low-impedance window
from CK, /CK10
tLZ
-0.7
0.7
-0.7
0.7
-0.75
0.75
-0.75
0.75
-0.8
0.8
ns
Input Setup Time (fast slew
rate)14,16-18
tIS
0.6
-
0.75
-
0.9
-
0.9
-
1.1
-
ns
Input Hold Time (fast slew
rate)14,16-18
tIH
0.6
-
0.75
-
0.9
-
0.9
-
1.1
-
ns
Input Setup Time (slow slew
rate)15-18
tIS
0.7
-
0.8
-
1.0
-
1.0
-
1.1
-
ns
Input Hold Time (slow slew
rate)15-18
tIH
0.7
-
0.8
-
1.0
-
1.0
-
1.1
-
ns
Input Pulse Width17
tIPW
2.2
-
2.2
-
2.2
-
2.2
-
2.5
-
ns
Write DQS High Level Width
tDQSH
0.35
-
0.35
-
0.35
-
0.35
-
0.35
-
tCK
Write DQS Low Level Width
tDQSL
0.35
-
0.35
-
0.35
-
0.35
-
0.35
-
tCK
Clock to First Rising edge of DQS-
In
tDQSS
0.72
1.25
0.75
1.25
0.75
1.25
0.75
1.25
0.75
1.25
tCK
DQS falling edge to CK setup time
tDSS
0.2
-0.2
-tCK
DQS falling edge hold time from
CK
tDSH
0.2
-0.2
-tCK
DQ & DM input setup time25
tDS
0.4
-
0.45
-
0.5
-
0.5
-
0.6
-
ns
DQ & DM input hold time25
tDH
0.4
-
0.45
-
0.5
-
0.5
-
0.6
-
ns
DQ & DM Input Pulse Width17
tDIPW
1.75
-
1.75
-
1.75
-
1.75
-
2
-
ns
Read DQS Preamble Time
tRPRE
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
tCK
Read DQS Postamble Time
tRPST
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK
Write DQS Preamble Setup Time12 tWPRES
0
-
0
-0-
0
-0
-
ns
Write DQS Preamble Hold Time
tWPREH 0.25
-
0.25
-
0.25
-
0.25
-
0.25
-
tCK
Write DQS Postamble Time11
tWPST
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK
Mode Register Set Delay
tMRD
2
-
2
-2-
2
-2
-
tCK
Exit Self Refresh to non-Read
command23
tXSNR
75
-
75
-
75
-
75
-
80
-
ns
Exit Self Refresh to Read
command
tXSRD
200
-
200
-
200
-
200
-
200
-
tCK
Average Periodic Refresh
Interval13,25
tREFI
-
7.8
-
7.8
-
7.8
-
7.8
-
7.8
us
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PDF描述
HY86-12LF 90-Degree Hybrid 0.82-0.90 GHz
HYB25D128400CT-5 32M X 4 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
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