參數(shù)資料
型號： HY29LV800T-55I
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： 8 Mbit (1M x 8/512K x 16) Low Voltage Flash Memory
中文描述： 8兆位（100萬x 8/512K × 16）低壓快閃記憶體
文件頁數(shù)： 27/40頁
文件大?。?/td> 556K
代理商： HY29LV800T-55I
27
Rev. 1.0/Nov. 01
HY29LV800
AC CHARACTERISTICS
Word/Byte Configuration (BYTE#)
r
e
m
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P
C
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D
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A
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o
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5
2
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0
0
3
9
#
Data Output DQ[14:0]
Data Output DQ[7:0]
Data Output DQ[7:0]
Data Output DQ[14:0]
Output DQ[15]
Address Input A-1
Address Input A-1
Data Output DQ[15]
t
ELFL
t
ELFH
t
FHQV
t
FLQZ
CE#
OE#
BYTE#
DQ[14:0]
DQ[15]/A-1
BYTE#
DQ[14:0]
DQ[15]/A-1
BYTE#
switching
from word to
byte mode
BYTE#
switching
from byte to
word mode
Figure 17. BYTE# Timings for Read Operations
Figure 18. BYTE# Timings for Write Operations
t
SET
(t
AS
)
t
HOLD
(t
AH
)
Falling edge of the last WE# signal
CE#
WE#
BYTE#
Note:
Refer to the Program/Erase Operations table for t
AS
and t
AH
specifications.
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PDF描述
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