參數(shù)資料
型號(hào)： HM51S4265DTT-6
元件分類： DRAM
英文描述： 256K X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO40
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, MO-133BA, TSOP2-44/40
文件頁數(shù)： 33/33頁
文件大?。?/td> 331K
代理商： HM51S4265DTT-6
HM514265D Series, HM51S4265D Series
9
Read, Write, Read-Modify-Write and Refresh Cycles (Common parameters)
HM514265D, HM51S4265D
-5
-6/-6R
-7
-8
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Random read or
write cycle time
t
RC
84
—
104
—
124
—
144
—
ns
RAS precharge time
t
RP
30
—
40
—
50
—
60
—
ns
RAS pulse width
t
RAS
50
10000
60
10000 70
10000
80
10000
ns
27
CAS pulse width
t
CAS
8
10000
10
10000 13
10000
15
10000
ns
28
Row address setup
time
t
ASR
0—
0—0—
0
—
ns
Row address hold time t
RAH
8
—
10
—
10
—
10
—
ns
Column address setup
time
t
ASC
0—
0—0—
0
—
ns
19
Column address
hold time
t
CAH
8
—
10
—
13
—
15
—
ns
19
RAS to CAS delay time t
RCD
18
35
20
45
20
50
20
60
ns
8
RAS to column
address delay time
t
RAD
10
25
15
30
15
35
15
40
ns
9
RAS hold time
t
RSH
13
—
15
—
18
—
20
—
ns
CAS hold time
t
CSH
40
—
48
—
58
—
68
—
ns
29
CAS to RAS precharge
time
t
CRP
10
—
10
—
10
—
10
—
ns
20
OE to Din delay time
t
ODD
13
—
15
—
18
—
20
—
ns
OE delay time from Din t
DZO
0—
0—0—
0
—
ns
CAS setup time
from Din
t
DZC
0—
0—0—
0
—
ns
Transition time
(rise and fall)
t
T
2
50
2
50
2
50
2
50
ns
7
Refresh period
t
REF
—8
—
8
ms
Refresh period
(L-version)
t
REF
—
128
—
128
—
128
—
128
ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM55-21R47 1 ELEMENT, 0.47 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
HM628127HLJP-25 128K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, PDSO32
HM62W8128DLR-7 STANDARD SRAM, PDSO32
HM64-104R7 1 ELEMENT, 4.7 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
HM76-50R78G 1 ELEMENT, 0.78 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HM51W17805J-6GS 制造商:Hitachi 功能描述:
HM51W18160CLTT-6 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
HM51W18165LTT6 制造商:HITACHI 功能描述:*
HM51W4260CLTT-6 制造商:Hitachi 功能描述:
HM5212165/2805 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Series 128M LVTTL Interface SDRAM 66 MHz 2-Mword X 16-Bit X4-Bank
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