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參數(shù)資料
| 型號： | HM51S4265DTT-6 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, MO-133BA, TSOP2-44/40 |
| 文件頁數(shù)： | 10/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 331K |
| 代理商： | HM51S4265DTT-6 |
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HM514265D Series, HM51S4265D Series
18
Delayed Write Cycle
Address
UCAS
LCAS
RAS
WE
Din
OE
Dout
t RC
t RAS
t RP
t CSH
t RCD
t RSH
t CAS
t CRP
t T
Column
Row
t ASR
t RAH
t ASC
t CAH
t RCS
t CWL
t RWL
t WP
t DZC
t DS
t DH
t DZO
t ODD
t OEH
t OFF2
Din
Invalid Dout*
*
High-Z
* Do not enable Dout during delayed write cycle.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM55-21R47 | 1 ELEMENT, 0.47 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| HM628127HLJP-25 | 128K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, PDSO32 |
| HM62W8128DLR-7 | STANDARD SRAM, PDSO32 |
| HM64-104R7 | 1 ELEMENT, 4.7 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| HM76-50R78G | 1 ELEMENT, 0.78 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM51W17805J-6GS | 制造商:Hitachi 功能描述: |
| HM51W18160CLTT-6 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| HM51W18165LTT6 | 制造商:HITACHI 功能描述:* |
| HM51W4260CLTT-6 | 制造商:Hitachi 功能描述: |
| HM5212165/2805 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Series 128M LVTTL Interface SDRAM 66 MHz 2-Mword X 16-Bit X4-Bank |
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