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參數(shù)資料
| 型號： | HB52E168EN |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 64 MB的無緩沖SDRAM的內(nèi)存（64MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 21/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 2741K |
| 代理商： | HB52E168EN |
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HB52E88EM-F, HB52E89EM-F, HB52E168EN-F, HB52E169EN-F
21
Notes: 1. I
CC
depends on output load condition when the device is selected. I
CC
(max) is specified at the
output open condition.
2. One bank operation.
3. Input signals are changed once per one clock.
4. Input signals are changed once per two clocks.
5. Input signals are changed once per four clocks.
6. After power down mode, CK operating current.
7. After power down mode, no CK operating current.
8. After self refresh mode set, self refresh current.
DC Characteristics (Ta = 0 to 65
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
(HB52E169EN)
Output leakage current
I
LO
–10
10
μ
A
0
≤
Vout
≤
V
CC
DQ = disable
I
OH
= –4 mA
I
OL
= 4 mA
Output high voltage
Output low voltage
V
OH
V
OL
2.4
—
—
0.4
V
V
Parameter
Operating current
(CE latency = 2)
(CE latency = 3)
Standby current in power down I
CC2P
Standby current in power down
(input signal stable)
Standby current in non power
down
Active standby current in power
down
Active standby current in non
power down
Burst operating current
(CE latency = 2)
(CE latency = 3)
Refresh current
Self refresh current
Symbol
HB52E169EN
-A6F/B6F
Min
Unit
Test conditions
Burst length = 1
t
RC
= min
Notes
1, 2, 3
Max
I
CC1
I
CC1
—
—
—
—
810
810
54
36
mA
mA
mA
mA
CKE = V
IL
, t
CK
= 12 ns
CKE = V
IL
, t
CK
=
∞
6
7
I
CC2PS
I
CC2N
—
288
mA
CKE, S = V
IH
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IL
, t
CK
= 12 ns
4
I
CC3P
—
72
mA
1, 2, 6
I
CC3N
—
360
mA
CKE, S = V
IH
,
t
CK
= 12 ns
t
CK
= min, BL = 4
1, 2, 4
I
CC4
I
CC4
I
CC5
I
CC6
—
—
—
—
900
900
1215
18
mA
mA
mA
mA
1, 2, 5
t
RC
= min
V
IH
≥
V
CC
– 0.2 V
V
IL
≤
0.2 V
0
≤
Vin
≤
V
CC
0
≤
Vout
≤
V
CC
DQ = disable
I
OH
= –4 mA
I
OL
= 4 mA
3
8
Input leakage current
Output leakage current
I
LI
I
LO
–10
–10
10
10
μ
A
μ
A
Output high voltage
Output low voltage
V
OH
V
OL
2.4
—
—
0.4
V
V
Parameter
Symbol
HB52E168EN
-A6F/B6F
Min
Unit
Test conditions
Notes
Max
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52E169EN | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52E88EM | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52E89EM | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52E169E12 | 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52E648EN | 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52E168EN-B6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52E169E1-B6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HB52E169EN-B6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HB52E328EM-A6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM |
| HB52E328EM-B6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM |
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