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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HAT3006R |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel / P Channel Power MOS FET(N/P溝道MOEFET) |
| 中文描述： | 硅?頻道/ P通道功率MOS FET（N / P系列溝道MOEFET） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 234K |
| 代理商： | HAT3006R |
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HAT3006R
5
Main Characteristics (N channel)
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
0.5
Pulse Test
Case Temperature Tc (°C)
R
D
S
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
0.10
Pulse Test
F
Drain Current I (A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
0.2
0.5
1
2
5
10
20
0.2
0.1
0.02
0.05
0.01
0.005
10 V
V = 4 V
0.08
0.06
0.04
0.02
–40
0
40
80
120
160
0
I = 1 A, 2 A, 5 A
D
1 A, 2 A, 5 A
10 V
V = 4 V
0.2
0.5
1
2
5
10
20
20
10
2
5
1
0.2
0.5
25 °C
Tc = –25 °C
75 °C
V = 10 V
Pulse Test
Reverse Drain Current I (A)
R
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
0.2
0.5
1
2
5
10
20
500
200
100
20
50
10
5
di/dt = 20 A/μs
V = 0, Ta = 25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HAT3008R | Silicon N/P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
| HAT3008RJ | Silicon N/P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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