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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HAT3006R |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel / P Channel Power MOS FET(N/P溝道MOEFET) |
| 中文描述： | 硅?頻道/ P通道功率MOS FET（N / P系列溝道MOEFET） |
| 文件頁數(shù)： | 11/14頁 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | HAT3006R |
HAT3006R
11
10 μ
100 μ
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
Pulse Width PW (S)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width (2 Drive Operation)
N
s
γ
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1sho puse
DM
P
PW
T
D =PW
T
ch – f = 166 °C/W, Ta = 25 °C
When using the glass epoxy board
(FR4 40x40x1.6 mm)
θ
γ θ
θ
Pulse Width PW (S)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width (1 Drive Operation)
N
s
γ
10 μ
100 μ
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1sho puse
DM
P
PW
T
D =T
ch – f = 125 °C/W, Ta = 25 °C
When using the glass epoxy board
(FR4 40x40x1.6 mm)
θ
γ θ
θ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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