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參數(shù)資料
| 型號： | HAT2070R |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS場效應(yīng)管電源開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 66K |
| 代理商： | HAT2070R |
HAT2070R
7
Pulse Width PW (s)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
N
s
γ
50
40
30
20
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1sho puse
DM
P
PW
T
D =T
ch - f
ch - f = 83.3
°
C/W, Ta = 25
°
C
When using the glass epoxy board
(FR4 40x40x1.6 mm)
θ
γ
θ
Reverse Drain Current vs.
Souece to Drain Voltage
Pulse Test
5 V
V = 0
10 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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