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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS881E36CGD-250IT |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 39/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 1302K |
| 代理商： | GS881E36CGD-250IT |
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GS881E18/32/36CD 165-Bump BGA Pin Description
Symbol
Type
Description
A0, A1
I
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs
A
I
Address Inputs
DQA
DQB
DQC
DQD
I/O
Data Input and Output pins
BA, BB, BC, BD
I
Byte Write Enable for DQA, DQB, DQC, DQD I/Os; active low
NC
—
No Connect
CK
I
Clock Input Signal; active high
BW
I
Byte Write—Writes all enabled bytes; active low
GW
I
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
E1
I
Chip Enable; active low
E3
I
Chip Enable; active low
E2
I
Chip Enable; active high
G
I
Output Enable; active low
ADV
I
Burst address counter advance enable; active l0w
ADSC, ADSP
I
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
ZZ
I
Sleep mode control; active high
FT
I
Flow Through or Pipeline mode; active low
LBO
I
Linear Burst Order mode; active low
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
I
Scan Test Clock
MCL
—
Must Connect Low
VDD
I
Core power supply
VSS
I
I/O and Core Ground
VDDQ
I
Output driver power supply
GS881E18C(T/D)/GS881E32C(T/D)/GS881E36C(T/D)
Rev: 1.01 6/2010
9/39
2008, GSI Technology
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881Z32CGD-150IVT | 256K X 32 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| GS881Z32CGD-150VT | 256K X 32 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| GS881Z36BGT-200T | 256K X 36 ZBT SRAM, 6.5 ns, PQFP100 |
| GS881Z36BGT-250IT | 256K X 36 ZBT SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
| GS88218AB-133 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GS881E36T-11.5I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
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