- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄173639 > GS881E36CGD-250IT (GSI TECHNOLOGY) 256K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA165 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GS881E36CGD-250IT |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 24/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 1302K |
| 代理商： | GS881E36CGD-250IT |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁當(dāng)前第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Unit Notes
3.3 V Test Port Input High Voltage
VIHJ3
2.0
VDD3 +0.3
V
1
3.3 V Test Port Input Low Voltage
VILJ3
–0.3
0.8
V
1
2.5 V Test Port Input High Voltage
VIHJ2
0.6 * VDD2
VDD2 +0.3
V
1
2.5 V Test Port Input Low Voltage
VILJ2
–0.3
0.3 * VDD2
V
1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINHJ
–300
1
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINLJ
–1
100
uA
3
TDO Output Leakage Current
IOLJ
–1
1
uA
4
Test Port Output High Voltage
VOHJ
1.7
—
V
5, 6
Test Port Output Low Voltage
VOLJ
—
0.4
V
5, 7
Test Port Output CMOS High
VOHJC
VDDQ – 100 mV
—
V
5, 8
Test Port Output CMOS Low
VOLJC
—
100 mV
V
5, 9
Notes:
1. Input Under/overshoot voltage must be –2 V > Vi < VDDn +2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
2. VILJ ≤ VIN ≤ VDDn
3. 0 V
≤ VIN ≤ VILJn
4. Output Disable, VOUT = 0 to VDDn
5. The TDO output driver is served by the VDDQ supply.
6. IOHJ = –4 mA
7. IOLJ = + 4 mA
8. IOHJC = –100 uA
9. IOLJC = +100 uA
GS881E18C(T/D)/GS881E32C(T/D)/GS881E36C(T/D)
Rev: 1.01 6/2010
30/39
2008, GSI Technology
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881Z32CGD-150IVT | 256K X 32 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| GS881Z32CGD-150VT | 256K X 32 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| GS881Z36BGT-200T | 256K X 36 ZBT SRAM, 6.5 ns, PQFP100 |
| GS881Z36BGT-250IT | 256K X 36 ZBT SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
| GS88218AB-133 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS881E36T-100 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36T-100I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36T-11 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36T-11.5 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36T-11.5I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。